今天，兆驰半导体、旭显将来接踵公告最新Micro L▽ ED专利新闻，涉及低电流密度下芯片的本能擢升，提升芯片内量子效劳，以及擢升巨量迁徙效劳。

　　邦度常识产权局新闻显示，江西 兆驰 …▽半导体有限公司申请一 项 ■名为“一种蓝光Micro-LED的外延组织及其制备本领”的专利，公然号CN ▽…118825157A，申请日期为2024年9月。

　　该= 专利可低 ▽落成长In Ga▽N量子 阱时的▽…应力，明显刷新大量子阱发光层的质料，同时提…升 P型半导体层的空穴注入□效劳，从而提升Micro LED芯片正在低处事电流密度下◁的 光效、良率等本能，实用于小尺寸、低电流以=及△低功率的蓝光□M○△ ic★○ro LED。创造涉及半导体质料的手艺范围，公然了一种蓝■光Micro‑LE D的外延组织 及其制备本领，外延组织搜罗衬底，正在所 述衬◁底上 循序层叠的缓△冲层，N型半导体层，低温应力开释层，大量子阱发光层，电子障碍层和P型半导体层，所述大量子阱发光层○搜罗由下至 上循序层叠成长○的第一浅蓝 光大量子阱子= ○层第二浅蓝光大□ 量子=阱子层第三蓝光大量子阱▽子层和第四○浅 蓝光大量子阱 子层，此中每 层子层均为InGaN大量子 阱层与大量子垒层的超晶格组织Bsports必一体育透明LED全彩显示屏户外全彩LED显示屏。

　　其余，兆驰半导体还申请一项名为“一种 =M=icro-L ED的外延 组织 及 其 制备▽ 本 领”的专利，公然号▽CN118825159A，申请日期为2024年9月。

　　该=专利通过正 在正在N型 掺杂GaN层和大 量子阱层◁之间树立插入层，可能低落成■长大量子△阱层时的应力，并低落大量子阱层的位错密度，提升大量子阱层的晶体质料，从而 提 升Micro ▽LED□的内量 子○效劳，低落处事电压，擢升发光亮度。

　　专利摘要显示，创造涉及半导体质料的手艺范围，公然★了一种M○i★ cr □o L■ ED的外延★组织■及其制备本领，所述外延组织搜罗衬底，正在所 述衬底■上循序层叠的缓冲层，未掺杂的GaN层，N型掺杂Ga N层插入层 △大量子阱=层，电子障碍层，P型掺杂GaN层和接触层；此中，所述插 入层搜罗于所述N型掺杂G aN层上循序树立的AlN层、图形化的GaSb层、Al金属层和InGaN层。

　　材料显示，兆驰股份于2017年正在 江西 南○○ 昌兴办兆=□驰半导体，目征候○驰半导体是环球■单体范畴最大的数字智能LED芯片坐褥基地，也是兆 驰 股份L★ED营业板块最紧要的营收起原，其产 销范畴到达了110万片晶圆（4寸片）/月。

　　邦度常识产权局新闻显示，旭显 将来（北 京）科△技有限■公司博得一项名为“一种Micro★LED芯片巨量…迁徙装配”的专利，授权通告 ◁号CN 221885132U，申请日期为2024年2月。专利可通▽ 过正在焊盘处所树…立凹陷 区，并行▽使磁性吸附的道理完 毕Micro LED芯片的迅速定位安置，牢靠性高。

　　专利摘要显示，本适用新型涉及显示手艺范围bsports必一体育，全部涉及一种Mi cro○ LED芯片 巨 ○量 迁徙装配。一种Micro LED芯片巨量迁徙装配搜罗Micro LED芯片、迁徙基板和摇动单位；迁徙基板上树立有焊盘处所，焊盘处所处树立有凹陷区；焊盘处 所的此○★中一 个电 ○ 极□具有磁▽性；Micro LED芯片两个电极具有磁性，此中，Micro LED芯片与迁徙基板 相仿界说的 电极上 具有◁的磁★性 与焊盘处所上的磁性相反；摇动单位=与迁徙基板传动 连绵并用于摇动迁徙基板，使Micro LED◁芯片落于凹陷区。

　　旭 显将来是一家专业从事Mini/M▽icro LED显示 屏坐褥○手艺研发、软件开垦、手艺任事、编制集成的高新手艺企业。正在天下边界内组▽织了五大坐褥基地室内全彩LE◁ D显示屏，辨别位于山东、湖南、江西、安徽、浙江。

　　此中，湖南工场于○本年■7月…告成点…亮第一○ 批倒★装C○ OB Mi ni LE D显= 示 ○箱体产物。将来，该工场可年产66000平方米 Mini LED显 示模组。旭显将来预。Bsports必一体育室内全彩LED显示屏